單擊NetCouplingSummary,出現(xiàn)耦合總結(jié)表格,，包括網(wǎng)絡(luò)序號、網(wǎng)絡(luò)名稱,、比較大干擾源網(wǎng)絡(luò),、比較大耦合系數(shù)、比較大耦合系數(shù)所占走線長度百分比,、耦合系數(shù)大于0.05的走線 長度百分比,、耦合系數(shù)為0.01?0.05的走線長度百分比、總耦合參考值,。

單擊Impedance Plot (Collapsed),查看所有網(wǎng)絡(luò)的走線阻抗彩圖,。注意，在彩圖 上方有一排工具欄,，通過下拉按鈕可以選擇查看不同的網(wǎng)絡(luò)組,，選擇不同的接收端器件，選 擇查看單端線還是差分線,。雙擊Plot±的任何線段,，對應(yīng)的走線會以之前定義的顏色(白色) 在Layout窗口中高亮顯示。如何選擇適用于DDR3一致性測試的工具,？設(shè)備DDR3測試銷售

創(chuàng)建工程啟動SystemSI工具,，單擊左側(cè)Workflow下的LoadaNew/ExistingWorkspace菜單項(xiàng),在彈出的WorkspaceFile對話框中選擇Createanewworkspace,單擊OK按鈕。在彈出的SelectModule對話框中選擇ParallelBusAnalysis模塊,，單擊OK按鈕,。選擇合適的License后彈出NewWorkspace對話框在NewWorkspace對話框中選擇Createbytemplate單選框，選擇個模板addr_bus_sparam_4mem,設(shè)置好新建Workspace的路徑和名字,，單擊0K按鈕,。如圖4-36所示，左側(cè)是Workflow,右側(cè)是主工作區(qū),。

分配舊IS模型并定義總線左側(cè)Workflow提示第2步為AssignIBISModels,先給內(nèi)存控制器和SDRAM芯片分配實(shí)際的IBIS模型,。雙擊Controller模塊,，在工作區(qū)下方彈出Property界面,，左側(cè)為Block之間的連接信息，右側(cè)是模型設(shè)置,。單擊右下角的LoadIBIS...按鈕,，彈出LoadIBIS對話框,。設(shè)備DDR3測試銷售DDR3一致性測試可以幫助識別哪些問題？

DDR 系統(tǒng)概述

DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ,，簡稱為 DDR,。DDR 本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀/寫數(shù)據(jù),，因而其數(shù)據(jù)速率是標(biāo)準(zhǔn) SDRAM 的兩倍,，至于地址與控制信號與傳統(tǒng) SDRAM 相同，仍在時鐘上升沿進(jìn)行數(shù)據(jù)判決,。 DDR 與 SDRAM 的對比DDR 是一個總線系統(tǒng),，總線包括地址線、數(shù)據(jù)信號線以及時鐘,、控制線等,。其中數(shù)據(jù)信號線可以隨著系統(tǒng)吞吐量的帶寬而調(diào)整，但是必須以字節(jié)為單位進(jìn)行調(diào)整,，例如,，可以是 8 位、16 位,、24 位或者 32 位帶寬等,。 所示的是 DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，地址和控制總線是單向信號,，只能從控制器傳向存儲芯片,，而數(shù)據(jù)信號則是雙向總線。

DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)DDR 的地址信號線除了用來尋址以外,，還被用做控制命令的一部分,，因此，地址線和控制信號統(tǒng)稱為地址/控制總線,。DDR 中的命令狀態(tài)真值表,。可以看到,，DDR 控制器對存儲系統(tǒng)的操作,，就是通過控制信號的狀態(tài)和地址信號的組合來完成的。 DDR 系統(tǒng)命令狀態(tài)真值表

單擊View Topology按鈕進(jìn)入SigXplorer拓?fù)渚庉嫮h(huán)境,，可以按前面161節(jié)反射 中的實(shí)驗(yàn)所學(xué)習(xí)的操作去編輯拓?fù)溥M(jìn)行分析,。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進(jìn)行反射和 串?dāng)_的布線后仿真。

在提取出來的拓?fù)渲?，設(shè)置Controller的輸出激勵為Pulse,然后在菜單Analyze- Preferences..界面中設(shè)置Pulse頻率等參數(shù),，

單擊OK按鈕退出參數(shù)設(shè)置窗口，單擊工具欄中的Signal Simulate進(jìn)行仿真分析,，

在波形顯示界面里,，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進(jìn)行查看, 可以看到,，差分時鐘波形邊沿正常，有一些反射,。

原始設(shè)計(jì)沒有接終端的電阻端接,。在電路拓?fù)渲袑⒔K端匹配的上拉電阻電容等電路 刪除，再次仿真,，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進(jìn)行查看,，可以看到， 時鐘信號完全不能工作,。DDR3內(nèi)存的一致性測試是否需要長時間運(yùn)行,？

DDR3拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)規(guī)劃：Fly?by拓?fù)溥€是T拓?fù)?/p>

DDR1/2控制命令等信號，均采用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),。到了 DDR3,由于信號速率提升,，當(dāng)負(fù) 載較多如多于4個負(fù)載時，T拓?fù)湫盘栙|(zhì)量較差,，因此DDR3的控制命令和時鐘信號均釆用 F拓?fù)?。下面是在某?xiàng)目中通過前仿真比較2片負(fù)載和4片負(fù)載時，T拓?fù)浜虵ly-by拓 撲對信號質(zhì)量的影響,，仿真驅(qū)動芯片為Altera芯片,，IBIS文件 為顆粒為Micron顆粒，IBIS模型文件為,。

分別標(biāo)示了兩種拓?fù)湎碌姆抡娌ㄐ魏脱蹐D,，可以看到2片負(fù)載 時，F(xiàn)ly-by拓?fù)鋵DR3控制和命令信號的改善作用不是特別明顯,，因此在2片負(fù)載時很多 設(shè)計(jì)人員還是習(xí)慣使用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),。DDR3一致性測試和DDR3速度測試之間有什么區(qū)別？設(shè)備DDR3測試銷售

進(jìn)行DDR3一致性測試時如何準(zhǔn)備備用內(nèi)存模塊,？設(shè)備DDR3測試銷售

DDR（Double Data Rate）是一種常見的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）技術(shù),，它提供了較高的數(shù)據(jù)傳輸速度和帶寬。以下是DDR系統(tǒng)的概述：

架構(gòu)：DDR系統(tǒng)由多個組件組成,，包括主板,、內(nèi)存控制器、內(nèi)存槽和DDR內(nèi)存模塊,。主板上的內(nèi)存控制器負(fù)責(zé)管理和控制DDR內(nèi)存模塊的讀寫操作,。數(shù)據(jù)傳輸方式：DDR采用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率，即在每個時鐘周期內(nèi)進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)傳輸,，相比于單倍數(shù)據(jù)傳輸率（SDR）,，DDR具有更高的帶寬。在DDR技術(shù)中,，數(shù)據(jù)在上升沿和下降沿時都進(jìn)行傳輸,，從而實(shí)現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)傳輸。速度等級：DDR技術(shù)有多個速度等級,，如DDR-200,、DDR-400、DDR2-800,、DDR3-1600等,。速度等級表示內(nèi)存模塊的速度和帶寬，通常以頻率來表示（例如DDR2-800表示時鐘頻率為800 MHz）,。不同的速度等級對應(yīng)著不同的數(shù)據(jù)傳輸速度和性能,。設(shè)備DDR3測試銷售