有人研究了不同有機(jī)配體對(duì)此類(lèi)光刻膠光刻性能的影響,。有機(jī)配體會(huì)影響光刻膠的靈敏度。通過(guò)配體交換法,，他們制備了反二甲基丙烯酸（DMA）和鄰甲基苯甲酸（TA）配體的HfO2,、ZrO2體系。其中HfO2-DMA和ZrO2-DMA體系的靈敏度較高,，為1.6~2.4mJ·cm?2,，可實(shí)現(xiàn)20nm線寬的光刻圖案。此外,，配體的種類(lèi)還將影響光刻膠的溶解性,。Li等報(bào)道了不同濃度的不同羧酸與ZrO2或HfO2配合之后的溶解度變化情況，發(fā)現(xiàn)不飽和的羧酸配體能獲得更大的溶解性差異,。光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域,，是典型的技術(shù)密集行業(yè)。蘇州g線光刻膠單體

2005年,，研究人員利用美國(guó)光源的高數(shù)值孔徑微觀曝光工具評(píng)價(jià)了RohmandHaas公司研發(fā)的新型ESCAP光刻膠MET-1K,，并將其與先前的EUV-2D光刻膠相比較。與EUV-2D相比,，MET-1K添加了更多的防酸擴(kuò)散劑。使用0.3NA的EUV曝光工具,，在90~50nm區(qū)間,，EUV-2D和MET-1K的圖形質(zhì)量都比較好；但當(dāng)線寬小于50nm時(shí),，EUV-2D出現(xiàn)明顯的線條坍塌現(xiàn)象,，而MET-1K則直到35nm線寬都能保持線條完整。在45nm線寬時(shí),，MET-1K仍能獲得較好的粗糙度,，LER達(dá)到6.3nm?？梢?jiàn)MET-1K的光刻性能要優(yōu)于EUV-2D,。從此，MET-1K逐漸代替EUV-2D,，成為新的EUV光刻設(shè)備測(cè)試用光刻膠,。浙江LCD觸摸屏用光刻膠光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類(lèi)，可分為 PCB 光刻膠,、顯示面板光刻膠,、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠。

2005 年起,，Gonsalves 課題組將陽(yáng)離子基團(tuán)（硫鎓鹽等）修飾的甲基丙烯酸酯與其他光刻膠單體共聚,，制備了一系列側(cè)基連接光致產(chǎn)酸劑的光刻膠，聚合物中金剛烷基團(tuán)的引入可以有效提升抗刻蝕性,。這類(lèi)材料與主體材料和產(chǎn)酸劑簡(jiǎn)單共混的配方相比,，呈現(xiàn)出更高的靈敏度和對(duì)比度。2009年起,，Thackeray等則將陰離子基團(tuán)連接在高分子主鏈上,，通過(guò)EUV曝光可以得到的光刻圖形分辨率為22nm光刻圖形，其對(duì)應(yīng)的靈敏度和線邊緣粗糙度分別為12mJ·cm?2和4.2nm,。2011年,，日本富士膠片的Tamaoki等也報(bào)道了一系列對(duì)羥基苯乙烯型主鏈鍵合光致產(chǎn)酸劑的高分子光刻膠,，并研究了不同產(chǎn)酸劑基團(tuán)、高分子組成對(duì)分辨率,、靈敏度和粗糙度的影響,，最高分辨率可達(dá)17.5nm。

所謂光刻技術(shù),，指的是利用光化學(xué)反應(yīng)原理把事先準(zhǔn)備在掩模版上的圖形轉(zhuǎn)印到一個(gè)襯底（晶圓）上,，使選擇性的刻蝕和離子注入成為可能的過(guò)程，是半導(dǎo)體制造業(yè)的基礎(chǔ)之一,。隨著半導(dǎo)體制造業(yè)的發(fā)展,，光刻技術(shù)從曝光波長(zhǎng)上來(lái)區(qū)分，先后經(jīng)歷了g線（436nm）,、i線（365nm）,、KrF（248nm）、ArF（193nm,，包括干式和浸沒(méi)式）和極紫外（EUV,，13.5nm）光刻。對(duì)應(yīng)于不同的曝光波長(zhǎng),，所使用的光刻膠也得到了不斷的發(fā)展,。目前7nm和5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)到來(lái)，根據(jù)各個(gè)技術(shù)的芯片制造企業(yè)公告,，EUV光刻技術(shù)已正式導(dǎo)入集成電路制造工藝,。在每一代的光刻技術(shù)中，光刻膠都是實(shí)現(xiàn)光刻過(guò)程的關(guān)鍵材料之一,。光刻膠也稱(chēng)為光致抗蝕劑，是一種光敏材料,，受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變,，主要應(yīng)用于電子工業(yè)和印刷工業(yè)領(lǐng)域。

由于EUV光刻膠膜較薄,，通常小于100nm，對(duì)于精細(xì)的線條,，甚至不足50nm,，因此光刻膠頂部與底部的光強(qiáng)差異便顯得不那么重要了。而很長(zhǎng)一段時(shí)間以來(lái),，限制EUV光刻膠發(fā)展的都是光源功率太低,，因此研發(fā)人員開(kāi)始反過(guò)來(lái)選用對(duì)EUV光吸收更強(qiáng)的元素來(lái)構(gòu)建光刻膠主體材料。于是,，一系列含有金屬的EUV光刻膠得到了發(fā)展,，其中含金屬納米顆粒光刻膠是其中的典型,。2010年，Ober課題組和Giannelis課題組首度報(bào)道了基于HfO2的金屬納米顆粒光刻膠,，并研究了其作為193nm光刻膠和電子束光刻膠的可能性,。隨后，他們將這一體系用于EUV光刻,，并將氧化物種類(lèi)拓寬至ZrO2,。他們以異丙醇鉿（或鋯）和甲基丙烯酸（MAA）為原料，通過(guò)溶膠-凝膠法制備了穩(wěn)定的粒徑在2~3nm的核-殼結(jié)構(gòu)納米顆粒,。納米顆粒以HfO2或ZrO2為核,，具有很高的抗刻蝕性和對(duì)EUV光的吸收能力；而有機(jī)酸殼層不但是光刻膠曝光前后溶解度改變的關(guān)鍵,，還能使納米顆粒穩(wěn)定地分散于溶劑之中,，確保光刻膠的成膜性。ZrO2-MAA納米材料加入自由基引發(fā)劑后可實(shí)現(xiàn)負(fù)性光刻,，在4.2mJ·cm?2的劑量下獲得22nm寬的線條,；而加入光致產(chǎn)酸劑曝光并后烘，利用TMAH顯影則可實(shí)現(xiàn)正性光刻,。目前,，我國(guó)光刻膠自給率較低，生產(chǎn)也主要集中在中低端產(chǎn)品,，國(guó)產(chǎn)替代的空間廣闊,。華東PCB光刻膠集成電路材料

光刻膠通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光,、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上,。蘇州g線光刻膠單體

環(huán)狀單分子樹(shù)脂中除了杯芳烴類(lèi)物質(zhì)以外，還有一類(lèi)被稱(chēng)為“水車(chē)”（Noria）的光刻膠,，該類(lèi)化合物由戊二醛和間苯二酚縮合而成,，是一種中心空腔的雙層環(huán)梯狀結(jié)構(gòu)分子，外形像傳統(tǒng)的水車(chē),，因此得名,，起初在2006年時(shí)由日本神奈川大學(xué)的Nishikubo課題組報(bào)道出來(lái)。隨后,，日本JSR公司的Maruyama課題組將Noria改性,，通過(guò)金剛烷基團(tuán)保護(hù)得到了半周期為22nm的光刻圖形。但是這種光刻膠的靈敏度較低,、粗糙度較大,，仍需進(jìn)一步改進(jìn)才能推廣應(yīng)用。蘇州g線光刻膠單體